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3D-Chips und hauchdünne Atomlagen im Fokus

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Konferenz „ALD 2016“ mit starker Dresdner Beteiligung Dublin, 21. August 2016. Wie immer dünnere Atomlagen in Computerchips und anderen Systemen aufgebracht und dabei neue Materialien verwendet werden können, darüber haben über 800 internationale Experten aus Wissenschaft und Industrie dieser Tage in Dublin diskutiert. Die „ALD 2016“ ist die größte Konferenz im Technologiefeld der Atomlagen-Abscheidung (ALD = „Atomic Layer Deposition“). Die Leitung hatten diesmal Dr. Simon Elliott vom irischen „Tyndall National Institute“ und Dr. Jonas Sundqvist von der schwedischen „Lund University“ und vom Dresdner Fraunhofer IKTS übernommen. Organische und anorganische Moleküle kombinieren Viele Beiträge kamen auf der Konferenz auch aus Dresden. Die sächsischen Forscher berichteten beispielsweise darüber, wie sich auch organische und anorganische Moleküle in solchen dünnen Schichten kombinieren, wie sich 3D-Chips oder Nanodrähte erzeugen oder sich Karbonmoleküle in Karbon einbringen lassen. Forschungsverbund „ALD Lab Saxony“ in Sachsen Dresden gilt als ein bedeutender Technologie-Standort in Europa. Unter dem Dach des Mikroelektronik-Forschungsverbundes „Cool Silicon“ haben sich im „ALD Lab Saxony“ elf Institute von Fraunhofer, der Technischen Universitäten Dresden, Chemnitz und Freiberg sowie der FH Zwickau zusammengeschlossen. Sie …

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